Pat

J-GLOBAL ID：200903080133699162

半導体素子内の異なる導電層を研磨する方法

Inventor： ラジーブ・バハ ,  ハノス・ファーカス ,  サン・シー・キム ,  ジャイム・サラビア
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998093962
Publication number (International publication number)：1998270399
Application date： Mar. 23, 1998
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 2つの異なる導電性物質を効果的に研磨可能な費用効率が高い研磨方法を提供する。【解決手段】 半導体素子基板上に堆積された2種類の異なる導電性物質を研磨する方法は、各導電性物質の研磨を独立して最適化しつつ、製造効率のために同一の研磨機器を利用する。研磨装置(10)を用いて、半導体素子基板(250)のタングステン層(258)およびチタン層(256)を研磨するが、その際異なる2種類のスラリ調合を用いる。2種類のスラリは、2つの異なる供給元容器(111,112)から同じ研磨プラテン(132)上に順次施与することができる。タングステンを除去するまで第1スラリを施与し、続いてスラリ施与をチタン除去のための第2スラリに切り替える。好適実施例では、第1スラリ調合品は硝酸第二鉄スラリであり、第2スラリ調合品は蓚酸スラリである。

Claim (excerpt)：

半導体素子の形成方法であって:半導体物質;前記半導体物質を覆うパターニングされた絶縁層(255)であって、開口を含むようにパターニングされた絶縁層(255);第1物質を含み、前記パターニングされた絶縁層上を覆い、前記開口内を充填する第1導電層(256);および前記第1物質とは異なる第2物質を含み、前記第1導電層を覆う第2導電層(258);を有する基板(250)を用意する段階;第1酸化成分を含む第1研磨流体を用いて前記第2導電層を研磨し、前記第1導電層の一部を露出させる段階;ならびに前記第1酸化成分とは異なる第2酸化成分を含む第2研磨流体を用いて前記第1導電層を研磨し、前記パターニングされた絶縁層の一部を露出させる段階;から成ることを特徴とする方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-135434
  
• 特開平1-135434
  
• 特開平1-135434