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J-GLOBAL ID：200903080133884725

レジスト組成物とレジストパターンの形成方法

Inventor： 武智 敏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991269865
Publication number (International publication number)：1993107762
Application date： Oct. 18, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レジストパターンの形成方法に関し、遠紫外光を光源として耐ドライエッチング性と解像性の優れた高感度のレジストパターンを形成することを目的とする。【構成】 アルカリ可溶性重合体と、メラミン或いはこの誘導体と、放射線照射により酸を発生する物質よりなり、露光後ベークを行って化学増幅し、レジストパターンを形成するレジストにおいて、レジストを構成するアルカリ可溶性重合体としてマレイミド或いはマレイミドと脂環族化合物との共重合体を使用することを特徴としてレジスト組成物を作り、このレジストを被処理基板上に被覆して選択露光を行い、露光後ベークを行った後にアルカリ現像することを特徴としてレジストパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

アルカリ可溶性重合体と、メラミン或いは該メラミンの誘導体と、放射線照射により酸を発生する物質よりなり、露光後ベークを行って化学増幅し、レジストパターンを形成するレジストにおいて、該レジストを構成する前記アルカリ可溶性重合体としてマレイミド或いは該マレイミドと脂環族化合物との共重合体を使用することを特徴とするレジスト組成物。

IPC (6)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027