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J-GLOBAL ID：200903080137466120

シリコン自然酸化膜の選択的除去方法

Inventor： 泉 昭 ,  桐栄 敬二 ,  渡辺 信淳 ,  鄭 容宝
Applicant, Patent owner： 大日本スクリーン製造株式会社 ,  渡辺 信淳
Agent (1)： 間宮 武雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994220942
Publication number (International publication number)：1995153737
Application date： Oct. 14, 1989
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 シリコン層表面からシリコン自然酸化膜を速やかにかつ完全に除去でき、好ましくない副反応やエッチングの逆反応が起こって汚染の原因をつくることがなく、反応の制御性、プロセスにおける再現性が極めて良好であり、シリコン層表面に形成されたシリコン自然酸化膜だけを選択的に除去することができる方法を提供する。【構成】 外気から気密に隔離された容器12内にシリコンウエハ10を収容し、その容器内へ無水フッ化水素とアルコールとを、無水フッ化水素の濃度を4%以下で供給し、それらに基板のシリコン層表面をさらす。

Claim (excerpt)：

外気から気密に隔離された容器内に基板を収容し、その容器内へ無水フッ化水素とアルコールとを、無水フッ化水素の濃度を4%以下で供給して、基板のシリコン層表面に形成されたシリコン自然酸化膜を選択的に除去するようにしたシリコン自然酸化膜の選択的除去方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308