Pat

J-GLOBAL ID：200903080141386017

半導体素子の製造方法

Inventor： 波多野 吾紅 ,  大場 康夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995000704
Publication number (International publication number)：1996186332
Application date： Jan. 06, 1995
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 GaN系化合物半導体層中におけるMg不純物の電気的活性化率を上げて高品質のp型層を形成することができ、高性能・短波長の半導体レーザ等の実現を可能とした半導体素子の製造方法を提供すること。【構成】 基板上に化合物半導体層を積層して半導体素子を製造する方法において、Mgを添加したGaN系化合物半導体層15,16上にMgを添加したAlNキャップ層17を形成したのち、GaN系化合物半導体層15,16に熱処理を施し、しかるのちAlNキャップ層17を除去することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

アクセプタを添加した窒化物系III-V族化合物半導体層上にアクセプタを添加したAlNキャップ層を形成する工程と、前記窒化物系III-V族化合物半導体層に熱処理を施す工程と、前記AlNキャップ層の少なくとも一部を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00