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J-GLOBAL ID：200903080141487573
波長可変半導体レーザ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994273697
Publication number (International publication number)：1996139413
Application date： Nov. 08, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：
【要約】【目的】レーザの発振波長を広い帯域にわたって自由に変えられる波長可変半導体レーザに関し、作製を容易にし、且つ広い波長可変帯域で利得を大きくすること。【構成】基板1上面の分布反射領域Aで光進行方向に向かって凹凸に形成された回折格子2と、前記回折格子2の上方で光進行方向に沿って膜厚が緩やかに周期的に変化して形成された量子井戸層5と、前記基板1の下面に形成された第1の電極9と、前記量子井戸層5の上に半導体層6,7,8を介して形成された第2の電極11とを含む。
Claim (excerpt)：
基板上面の分布反射領域で光進行方向に向かって凹凸に形成された回折格子と、前記回折格子の上方で光進行方向に沿って膜厚が緩やかに周期的に変化して形成された量子井戸層と、前記基板の下面に形成された第1の電極と、前記第1の量子井戸層の上に半導体層を介して形成された第2の電極とを有することを特徴とする波長可変半導体レーザ。
IPC (2)：
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