レーザアニール装置及びこの装置を用いた薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大前要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999079477
Publication number (International publication number)：2000277450
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、レーザ照射位置の位置決め精度を向上することにより、駆動回路部の特性の低下を防止しつつ、レーザアニール装置の制御が容易化し、しかもタクトの向上を図ることができ、さらに活性化工程を円滑に実施することができるレーザアニール装置及びこの装置を用いた薄膜トランジスタの製造方法の提供を目的としている。【解決手段】レーザ発振器3からのレーザ光6をガラス基板2に照射するレーザアニール装置において、上記基板2からの発光8の強度及び/又は波長を測定する照度計7を有することを特徴とするレーザアニール装置。

Claim (excerpt)：

レーザ発振器からのレーザ光を基板に照射するレーザアニール装置において、上記基板からの反射光の強度及び/又は波長を測定する光検出手段を有することを特徴とするレーザアニール装置。

IPC (5)：

H01L 21/268 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/268 G , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 F

F-Term (38)：

2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092MA05 , 2H092MA12 , 2H092MA15 , 2H092MA17 , 2H092MA19 , 2H092MA30 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 2H092PA07 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BA18 , 5F052BB07 , 5F052CA10 , 5F052DB03 , 5F052JA01 , 5F110AA30 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110HJ12 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN55 , 5F110PP03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭57-181537
レーザーアニール処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-258853 Applicant：株式会社日本製鋼所
特開昭58-197816

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