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J-GLOBAL ID：200903080165103776
受光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992151488
Publication number (International publication number)：1993327001
Application date： May. 19, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 受光素子において、受光効率を大幅に向上させる。【構成】 GaAs基板1上に光吸収層としてGe層2を形成し、その上に電極5、6を形成する。電極5、6の間に電圧を印加し、GaAs基板1の裏面からの光の入射によりGe層2で対生成される電子及び正孔により電極5、6の間に流れる光電流により受光作用を得る。
Claim (excerpt)：
ゲルマニウムのバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する半導体基板と、上記半導体基板上に設けられたゲルマニウムから成る光吸収層とを有する受光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/10 B
