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J-GLOBAL ID：200903080180204899

SOS基板の形成方法およびそれを用いた半導体装置

Inventor： 森安 嘉貴 ,  石田 誠 ,  吉本 護
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社 ,  石田 誠 ,  吉本 護
Agent (1)： 谷 義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996255268
Publication number (International publication number)：1998083962
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 量子効果デバイスを実現するためのサファイア基板上の量子ドット構造、量子細線構造および平坦Si膜、それらの形成方法、およびそれらを用いた半導体装置の提供。【解決手段】 原子層オーダーのステップを有するテラス構造の表面形態を持ったサファイア基板を用い、その表面の段差のステップ部分からSiが選択的に成長することを利用して量子ドット、量子細線および平坦性の良いSi層を形成する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板にシリコンを成膜させるSOS基板の形成方法において、前記サファイア基板を熱処理することにより前記サファイア基板上にテラス構造を形成し、該テラス構造のステップ部分からシリコンを成長させることを特徴とするSOS基板の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/80

FI (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 27/12 S ,  H01L 29/80 A