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J-GLOBAL ID：200903080183210547

半導体装置の製造方法

Inventor： 田代 和昭
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996000580
Publication number (International publication number)：1997186068
Application date： Jan. 08, 1996
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 セルフアライメントの精度を高めることが困難。【解決手段】 X線を吸収しやすい重金属材料からなる所望の形状にパターン化された吸収層103を有し、該吸収層103の積層方向の一方の面側からX線を照射することにより、該吸収層103をマスクにして、該一方の面側と反対の面側に配されたフォトレジストを露光する。

Claim (excerpt)：

X線を吸収しやすい重金属材料からなる所望の形状にパターン化された吸収層を有し、該吸収層の積層方向の一方の面側からX線を照射することにより、該吸収層をマスクにして、該一方の面側と反対の面側に配されたフォトレジストを露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/30 531 E ,  H01L 21/88 C ,  H01L 29/78 616 N