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J-GLOBAL ID：200903080187937190
半導体装置用リードフレーム及び半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992002475
Publication number (International publication number)：1993190725
Application date： Jan. 09, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 耐酸化性、半田拡がり性及び曲げ加工性が優れたリードフレーム及び信頼性が高い半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 銅又は銅合金からなる下地の少なくとも半導体素子接合部及びワイヤボンディング部上に 0.3乃至5 μmの厚さで形成されたNi-Fe-P合金めっき層を有し、前記Ni-Fe-P合金めっき層はそのP/Fe比が重量比で5.0以下であり、且つ、Fe含有量が1乃至3重量%、P含有量が3乃至9重量%である。又は、銅又は銅合金からなる下地と、この下地の少なくとも半導体素子接合部及びワイヤボンディング部上に形成されたNiめっき層と、このNiめっき層上に 0.2乃至0.5 μmの厚さで形成されたNi-Fe-P合金めっき層とを有し、前記Ni-Fe-P合金めっき層はそのP/Fe比が重量比で 5.0以下であり、且つ、Fe含有量が1乃至3重量%、P含有量が3乃至9重量%である。
Claim (excerpt)：
その表面上に半導体素子が搭載され、この半導体素子に設けられた電極とワイヤを介して電気的に接続される半導体装置に使用されるリードフレームにおいて、銅又は銅合金からなる下地部材と、この下地部材の少なくとも半導体素子接合部及びワイヤボンディング部上に 0.3乃至5 μmの厚さで形成されたNi-Fe-P合金めっき層とを有し、前記Ni-Fe-P合金めっき層はそのP/Fe比が重量比で 5.0以下であり、且つ、Fe含有量が1乃至3重量%、P含有量が3乃至9重量%であることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
IPC (2)：
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