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J-GLOBAL ID：200903080195807611

半導体ウエハ熱処理炉及び熱処理方法

Inventor： 松下 純一 ,  吉川 淳 ,  林 健郎 ,  真田 昌之 ,  下井 規弘 ,  北條 顕道
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 赤野 牧子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995148158
Publication number (International publication number)：1996316163
Application date： May. 22, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 縦型熱処理炉における複数のウエハ処理において、炉芯管内の位置的差異によりウエハ表面状態に差を生じさせることなく、均一に熱処理できる熱処理炉及び熱処理方法の提供。【構成】 複数の半導体ウエハをボートにセットして熱処理炉内に装入し、処理ガスの流通下で該半導体ウエハを熱処理する縦型熱処理炉において、該半導体ウエハと炉芯管とを同心状に設置するとともに、該炉芯管内壁と該半導体ウエハとに10〜100mmの間隙を有することを特徴とする半導体ウエハ熱処理炉。

Claim (excerpt)：

複数の半導体ウエハをボートにセットして熱処理炉内に装入し、処理ガスの流通下で該半導体ウエハを熱処理する縦型熱処理炉において、該半導体ウエハと炉芯管とを同心状に設置するとともに、該炉芯管内壁と該半導体ウエハとが10〜100mmの間隙を有することを特徴とする半導体ウエハ熱処理炉。

IPC (3)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

FI (3)：

H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/324 D