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J-GLOBAL ID:200903080204246890

高熱伝導性窒化けい素回路基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 波多野 久 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996034933
Publication number (International publication number):1996319187
Application date: Feb. 22, 1996
Publication date: Dec. 03, 1996
Summary:
【要約】【課題】窒化けい素焼結体が本来備える高強度特性を利用し、さらに熱伝導率が高く放熱性に優れるとともに耐熱サイクル特性を大幅に改善した高熱伝導性窒化けい素回路基板を提供する。【解決手段】希土類元素を酸化物に換算して2.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%以下含有し、熱伝導率が60W/m・K以上である窒化けい素基板2a、または、窒化けい素粒子および粒界相により構成され、粒界相中における結晶化合物相が粒界相全体に対して体積比で20%以上を占め、熱伝導率が60W/m・K以上である窒化けい素基板2aの表面に、厚さが0.5〜10μmの酸化物層3が形成され、この酸化物層3を介して金属回路板4,5が上記窒化けい素基板2に直接接合されて構成される。特に金属回路板4,5として、表面に厚さ1.0μm以上の酸化銅層7を有する銅回路板を使用することにより、基板2と回路板4,5との接合強度がさらに高まり、耐久性が優れた回路基板1aが得られる。
Claim (excerpt):
希土類元素を酸化物に換算して2.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%以下含有し、熱伝導率が60W/m・K以上である窒化けい素基板の表面に、厚さが0.5〜10μmの酸化物層が形成され、この酸化物層を介して金属回路板が上記窒化けい素基板に直接接合されていることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素回路基板。
IPC (6):
C04B 41/90 ,  C04B 35/584 ,  C04B 41/88 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/20 ,  H05K 3/38
FI (6):
C04B 41/90 C ,  C04B 41/88 C ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/20 Z ,  H05K 3/38 B ,  C04B 35/58 102 Y
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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