レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001325907
Publication number (International publication number)：2002202610
Application date： Oct. 24, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有すると共に、酸不安定基が酸の作用により分解してアルカリに対する溶解性を増加させる繰り返し単位を含む、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1、R2は水素原子、ヒドロキシ基、置換可ヒドロキシアルキル基、直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換可アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。また、nは0又は1〜4の正の整数である。)【効果】本発明によれば、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、その上特に優れたエッチング耐性を示す、特に超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適な化学増幅型レジスト材料等のレジスト材料を与えることが可能である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有すると共に、酸不安定基が酸の作用により分解してアルカリに対する溶解性を増加させる繰り返し単位を含む、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1、R2は水素原子、ヒドロキシ基、置換可ヒドロキシアルキル基、直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換可アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。また、nは0又は1〜4の正の整数である。)

IPC (5)：

G03F 7/039 601 , C08F 32/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/38 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/039 601 , C08F 32/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/38 , H01L 21/30 502 R

F-Term (62)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025BJ04 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096DA01 , 2H096EA02 , 2H096EA03 , 2H096EA04 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 2H096JA03 , 2H096LA16 , 4J100AB02Q , 4J100AB07Q , 4J100AL03Q , 4J100AL04Q , 4J100AL05Q , 4J100AR09P , 4J100AR10P , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA04P , 4J100BA04Q , 4J100BA10P , 4J100BA10Q , 4J100BA20P , 4J100BA20Q , 4J100BA40P , 4J100BA40Q , 4J100BB00P , 4J100BB00Q , 4J100CA01 , 4J100CA03 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

特開平4-249509

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