Pat
J-GLOBAL ID：200903080232776373
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991265691
Publication number (International publication number)：1993110355
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高周波高出力半導体装置の構造に関し、単位トランジスタ間及び、トランジスタチップ間の高周波的分離を容易に且つ完全に行い相互干渉による利得及び出力電力の低下を防止することを目的とする。【構成】 同一半導体チップ1上に同一仕様の複数の単位トランジスタ2A,2Bまたは複数の単位トランジスタ群を有し、該単位トランジスタ2A,2Bまたは単位トランジスタ群の中の隣合う2個の単位トランジスタ2A,2Bまたは単位トランジスタ群の入力用電極3A,3B 及び出力用電極9A,9B が、入力側抵抗8A及び出力側抵抗8Bを介して相互に接続されると共に、入力整合回路6及び出力整合回路10を介して相互に接続されることにより該単位トランジスタ2A,2B間または単位トランジスタ群間が高周波的に分離され、且つ該入力整合回路6及び出力整合回路10の中点からそれぞれ入力端子6T及び出力端子10T が導出されてなる構成を有する。
Claim (excerpt)：
同一半導体チップ上に同一仕様の複数の単位トランジスタまたは複数の単位トランジスタ群を有し、該複数の単位トランジスタまたは単位トランジスタ群の中の隣合う2個の単位トランジスタまたは単位トランジスタ群相互の入力用電極及び出力用電極が、入力側抵抗及び出力側抵抗を介して並列に接続されると共に、入力整合回路及び出力整合回路を介して並列に接続されることにより該単位トランジスタ間または単位トランジスタ群間が高周波的に分離され、且つ該入力整合回路及び出力整合回路の中点からそれぞれ入力端子及び出力端子が導出されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H03F 3/60
, H01L 27/088
, H01L 27/13
, H01P 5/08
, H03F 3/68
