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J-GLOBAL ID：200903080242637827

プラズマ処理方法

Inventor： 長坂 光明 ,  菊地 純 ,  藤村 修三
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995265570
Publication number (International publication number)：1997106977
Application date： Oct. 13, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ処理方法に関し、シリコンなどの被処理物の表面の酸化を促進したり抑制したりして、表面に不具合な損傷を与えずに酸化と酸化膜の除去を同時に進行させる。【解決手段】 水素+水蒸気プラズマダウンフローにNF3 を添加する処理装置10によって、被処理物9の温度を30ないし40°Cに保つか、あるいは水素に添加する水蒸気の添加量を2ないし7%にすることによって、シリコンなどの被処理物の表面の酸化を促進させたり抑制したりするように処理方法を構成する。

Claim (excerpt)：

水素と、少なくとも一つの酸素原子を含む分子とを少なくとも含む混合ガスからなるプラズマダウンフローに、少なくともふっ素を含むガスを添加し、該プラズマダウンフローの下流で被処理物を処理するプラズマ処理方法において、ダウンフロー処理を行う前に被処理物の温度を上げて処理を開始する第1の工程と、次いで、該被処理物の温度を下げる第2の工程とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 N ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-152381   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭62-072131