Pat

J-GLOBAL ID：200903080254622540

デュアルダマシン法に適用される誘電体構造物およびその製造方法

Inventor： ウグロウ・ジェイ・イー. ,  ブライト・ニコラス・ジェイ. ,  ヘンカー・デイブ・ジェイ. ,  マクウィリアムズ・ケネス・ピー. ,  ベンジン・ジェフリー・シー. ,  アーチャー・ティモシー・エム.
Applicant, Patent owner： ラム リサーチ コーポレーション ,  ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド
Agent (1)： 五十嵐 孝雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001508492
Publication number (International publication number)：2003504848
Application date： Jun. 08, 2000
Publication date： Feb. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 基板上に形成されるとともに、デュアルダマシン法に用いられる誘電体構造物と該誘電体構造物の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上にバリア層(102)を形成し、バリア層上に無機誘電体層(104)を形成し、無機誘電体層上に低誘電率層(106)を形成する。この好ましい実施例においては、さらに第1のエッチング化学剤を使用して低誘電率層(106)内に溝(110)を形成し、第2のエッチング化学剤を使用してビア(112)の内側の無機誘電体層(104)にビア(112)を形成する。他の実施例において、無機誘電体層は非ドープTEOS酸化物またはフッ素ドープ酸化物とすることができ、低誘電率層は炭素ドープ酸化物(C-酸化物)または他の低K誘電体とすることができる。

Claim (excerpt)：

デュアルダマシン法に適用される誘電体構造物を製造する方法であって、 基板を用意し、 前記基板上にバリア層を形成し、 前記バリア層上に無機誘電体層を形成し、 前記無機誘電体層上に低誘電率の層を形成する製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 A

F-Term (40)：

5F004AA02 ,  5F004AA12 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033RR20 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24