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J-GLOBAL ID:200903080263245104
不揮発性半導体装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994207181
Publication number (International publication number):1996078542
Application date: Aug. 31, 1994
Publication date: Mar. 22, 1996
Summary:
【要約】【目的】本発明は、トンネル酸化膜の厚さを従来よりも薄くすることなしに、情報の書き込み/消去の際に印加するバイアスを低く抑えることができ、情報の書き込み/消去の速度を速くすることができる不揮発性半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に絶縁膜を介して形成された制御ゲートとにより構成されており、電気的に情報の書き換えが可能であるメモリセルを複数配列してなるセルアレイを具備し、前記メモリセル領域に対応する前記半導体基板の少なくとも一部が凹凸形状を有していることを特徴としている。
Claim (excerpt):
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に絶縁膜を介して形成された制御ゲートとにより構成されており、電気的に情報の書き換えが可能であるメモリセルを複数配列してなるセルアレイを具備し、前記メモリセル領域に対応する前記半導体基板の少なくとも一部が凹凸形状を有していることを特徴とする不揮発性半導体装置。
IPC (4):
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
FI (2):
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
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