半導体放射線検出装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大島陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001082530
Publication number (International publication number)：2002286847
Application date： Mar. 22, 2001
Publication date： Oct. 03, 2002
Summary：

【要約】【課題】小型で高エネルギー分解能を持つ放射線検出装置を提供する。【解決手段】光検出器としてシリコンフォトダイオードではなく、酸化物シンチレータの発光ピーク波長に近い500nm以下に受光ピーク感度を有する半導体受光素子、具体的には禁止帯幅2.5eV以上の化合物半導体を素材とする半導体受光素子、更に具体的には臭化タリウム(TlBr)からなる半導体受光素子を用いることで、その検出器のピーク感度波長を、酸化物シンチレータの発光ピーク波長に近い500nm以下にすることが可能となり、高感度で小型の半導体放射線検出装置を実現できる。

Claim (excerpt)：

放射線を受けて発光するシンチレータと、半導体受光素子とを有する放射線検出装置であって、前記シンチレータの発光のピーク波長及び前記半導体受光素子の受光ピーク感度が共に500nm以下となっていることを特徴とする半導体放射線検出装置。

IPC (3)：

G01T 1/20 , H01L 27/14 , H01L 31/09

FI (4)：

G01T 1/20 E , G01T 1/20 G , H01L 27/14 K , H01L 31/00 A

F-Term (26)：

2G088EE01 , 2G088EE02 , 2G088FF02 , 2G088FF04 , 2G088FF07 , 2G088GG19 , 2G088GG20 , 2G088JJ04 , 2G088JJ05 , 4M118AA01 , 4M118AA10 , 4M118AB10 , 4M118BA01 , 4M118CA02 , 4M118CA19 , 4M118CB01 , 4M118CB11 , 5F088AA01 , 5F088AB07 , 5F088BA01 , 5F088BB07 , 5F088HA10 , 5F088HA15 , 5F088LA03 , 5F088LA07 , 5F088LA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

放射線医学用間接X線画像検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-180725 Applicant：エフティーエヌアイインコーポレイテッド
特開昭62-073677
放射線二次元検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-110400 Applicant：株式会社島津製作所, 日本放送協会

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