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J-GLOBAL ID：200903080269158866
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997071927
Publication number (International publication number)：1998265975
Application date： Mar. 25, 1997
Publication date： Oct. 06, 1998
Summary：
【要約】【課題】 この発明は基板を所望する形状に精度よく加工でき、しかも熱損させるのを防止できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 反応性ガスを励起してプラズマ化することで活性種を生成させ、基板17を処理するプラズマ処理装置において、上記反応性ガスを励起する励起部13および上記基板が設置される処理部14とを有するチャンバ11と、上記励起部に上記反応性ガスを導入する第1のガス供給源27と、上記励起部に導入された上記反応性ガスを励起するマイクロ波電源41と、上記基板の温度を制御する温度制御手段とを具備したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
反応性ガスを励起してプラズマ化することで活性種を生成させ、被処理物を処理するプラズマ処理装置において、上記反応性ガスを励起する励起部および上記被処理物が設置される処理部とを有するチャンバと、上記励起部に上記反応性ガスを導入する第1のガス導入手段と、上記励起部に導入された上記反応性ガスを励起する励起手段と、上記被処理物の温度を制御する温度制御手段とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2)：
FI (3)：
C23F 4/00 A
, H01L 21/302 B
, H01L 21/302 H
