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J-GLOBAL ID：200903080270719766
電磁界解析方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 均
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996239856
Publication number (International publication number)：1998062469
Application date： Aug. 22, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明はFD-TD法を用いて遠方界での放射特性を計算する際、計算機のメモリ使用量、計算時間を低減させる。【解決手段】 電磁流が急峻に変化する部分の格子間隔を短くしてFD-TD法で電流値、磁界値を計算し、この計算動作で得られた電流値、磁界値に基づき、前記(12)式、(13)式、(14)式で示される仮想面上における電磁流を計算する際、仮想面での格子2を間引いて計算を行ない、遠方での放射特性を計算する。
Claim (excerpt)：
電磁界の解析対象物に対してマクスウェルの方程式を基本としたFD-TD法を使用し、プロセッサで演算を行なって電磁界を求め、この演算結果に対し、等価定理を適用して遠方放射界での放射特性を求めることを特徴とする電磁界解析方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G01R 29/08 Z
, G01R 29/10 Z
