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J-GLOBAL ID：200903080273214444

半導体装置の製法

Inventor： 香野 淳 ,  鮫島 俊之 ,  佐野 直樹 ,  原 昌輝 ,  関谷 光信
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993293566
Publication number (International publication number)：1995086160
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 基板上に薄膜半導体領域を形成して、各種半導体装置を構成する半導体装置の製法において、所望の導電型、不純物濃度すなわちキャリア濃度の設定を正確に行うことができ、製造工程の簡易化をはかり、さらに高温長時間の熱処理による不純物の不要な拡散を回避することができるようする。【構成】 基板10上に互いに導電型または不純物濃度の少なくともいずれか一方を異にする少なくとも第1および第2の半導体層21および22を積層する工程と、これら半導体層を加熱して所要の導電型、不純物濃度、比抵抗を有する結晶性半導体領域を形成する工程とを採る。

Claim (excerpt)：

基板上に互いに導電型または不純物濃度の少なくともいずれか一方を異にする少なくとも第1および第2の半導体層を積層する工程と、上記半導体層を加熱して所要の導電型、不純物濃度、比抵抗を有する結晶性半導体領域を形成する工程を経ることを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-035551
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-333236   Applicant：セイコーエプソン株式会社