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J-GLOBAL ID：200903080297350098

磁気抵抗効果再生ヘッド

Inventor： 濱川 佳弘 ,  小林 俊雄 ,  小山 直樹 ,  北田 正弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992065749
Publication number (International publication number)：1993266434
Application date： Mar. 24, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】バルクハウゼンノイズの発生率を防止し、オフトラック特性の良好な、磁気抵抗効果型再生ヘッドを得る。【構成】中央部感磁領域11と端部磁区制御領域12を有する強磁性体パタ-ン30、この両端に接続された電極パタ-ン40、該強磁性体パタ-ン30に横方向バイアスを発生するためのパタ-ン、該強磁性体パタ-ン30を磁気シ-ルドするために両側に設けた軟磁性膜、およびこれを支持する基体からなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、該中央部感磁領域11の長さWが、該電極パタ-ン40の内端面間距離Tよりも小さく、実質的に中央部感磁領域11の長さWによって、トラック幅が決まることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。該端部磁区制御領域12の両内端面とも電極40内端面の電極40内端面と一致するか内側にあるようにした。

Claim (excerpt)：

中央部感磁領域と端部磁区制御領域を有する磁気抵抗層、この両端に接続された電極、該磁気抵抗層に横方向バイアスを発生するためのパタ-ン、該磁気抵抗層を磁気シ-ルドするために両側に設けた軟磁性膜、およびこれを支持する基体からなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、該中央部感磁領域の長さ(該端部磁区制御領域内端面間距離)が、該電極の内端面間距離よりも小さく、実質的に磁区制御領域内端面間隔距離が再生トラック幅となることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-296522
  
• 特開昭61-296522