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J-GLOBAL ID：200903080308035521

ガス発生装置

Inventor： 大川 和宏
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 佐伯 憲生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001215952
Publication number (International publication number)：2003024764
Application date： Jul. 16, 2001
Publication date： Jan. 28, 2003
Summary：

【要約】【目 的】本発明は、太陽あるいは人工光源からの光エネルギーを用い、溶液から水素ガスあるいは酸素ガス等のガスを公害等の虞の少ない手法で効率良く発生させることを目的としている。【構 成】本発明は、互いに接続された金属極及び窒化物半導体極を有し、両電極が溶媒中に設置されて成るガス発生装置、及び、光エネルギーを窒化物半導体に吸収させ、その表面又は該窒化物半導体接続された金属表面において溶媒を分解させることから成る、ガス発生方法に係る。

Claim (excerpt)：

互いに接続された金属極及び窒化物半導体極を有し、両電極が溶媒中に設置されて成るガス発生装置。

F-Term (4)：

4G068DA02 ,  4G068DB08 ,  4G068DB26 ,  4G068DD15