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J-GLOBAL ID：200903080308890669

多層薄膜配線基板

Inventor： 高見 征一
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995141633
Publication number (International publication number)：1996335778
Application date： Jun. 08, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】回路配線膜に外部リード端子を強固に取着し、回路配線膜に接続される電子部品を他の外部電気回路に確実に電気的接続することができる多層薄膜配線基板を提供することにある。【構成】絶縁基板1上に薄膜形成技術より有機高分子材料から成る絶縁膜3と金属材料から成る回路配線膜2とを交互に多層に積層するとともに、前記回路配線膜3に外部リード端子6をロウ材7を介して取着してなる多層薄膜配線基板であって、前記少なくとも外部リード端子6がロウ材7を介して取着される回路配線膜2と接する絶縁膜3aの熱膨張係数が10×10-6/°C乃至30×10-6/°Cである。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に薄膜形成技術より有機高分子材料から成る絶縁膜と金属材料から成る回路配線膜とを交互に多層に積層するとともに、前記回路配線膜に外部リード端子をロウ材を介して取着してなる多層薄膜配線基板であって、前記少なくとも外部リード端子がロウ材を介して取着される回路配線膜と接する絶縁膜の熱膨張係数が10×10-6/°C乃至30×10-6/°Cであることを特徴とする多層薄膜配線基板。

FI (2)：

H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-176196
  
• 特開平3-283274
  
• 特開平3-244193