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J-GLOBAL ID：200903080321944417

炭化ケイ素の成膜方法

Inventor： 長澤 弘幸 ,  山口 洋一
Applicant, Patent owner： ホーヤ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991178665
Publication number (International publication number)：1993001380
Application date： Jun. 24, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ホットウォール方式の減圧CVD法において、膜厚、膜質の均質性及び膜表面の平坦性に優れた炭化ケイ素の成膜方法を提供する。【構成】 ホットウォール方式を用いたCVD装置の反応管1内に基板Sを置き、前記反応管1をヒータ2で加熱しつつ排気ポンプ4により減圧して、ガス導入管により前記反応管1内に複数種のガスを導入することにより前記基板S上に炭化ケイ素を成膜する方法において、前記複数種のガスとして少なくともアセチレンガスとジクロロシランガスとを用いて、下記(A)及び(B)の操作を交互に繰り返すことにより前記基板S上に炭化ケイ素を成膜する方法。(A)アセチレンガスを2秒以上導入する。(B)ジクロロシランガスを3〜12秒導入する。

Claim (excerpt)：

反応管とそれを囲むヒータを有し、かつ前記反応管にガスを導入するガス導入管を備えたホットウォール方式を用いたCVD装置の前記反応管内に基板を置き、前記反応管を加熱しつつ、減圧下で、前記ガス導入管により反応管内に複数種のガスを導入することにより前記基板上に炭化ケイ素を成膜する方法において、前記複数種のガスとして少なくともアセチレンガスとジクロロシランガスとを用いて、下記(A)及び(B)の操作を交互に繰り返すことにより前記基板上に炭化ケイ素を成膜することを特徴とする炭化ケイ素の成膜方法。(A)アセチレンガスを2秒以上導入する。(B)ジクロロシランガスを3〜12秒導入する。

IPC (4)：

C23C 16/32 ,  C01B 31/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-172895
  
• 特開平2-262324
  
• 特開昭63-139096