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J-GLOBAL ID：200903080324068065

ITOのドライエッチング方法

Inventor： 大八木 茂樹 ,  岡崎 尚登 ,  荻野 誠一
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992246099
Publication number (International publication number)：1994097124
Application date： Sep. 16, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 メタンガスのような炭化水素ガス及び水素ガスを用いるITOのドライエッチングにおいて、炭化水素ガスに起因する炭素系膜の被エッチング物やエッチングチャンバ内面への生成(デポジション)を抑制してエッチングレートを向上させる。【構成】 エッチング用ガスとしてCH4 、H2 及び酸素化合物を含むガスをエッチングチャンバ1内へ導入して該ガスをプラズマ化するとともに該チャンバ内面の温度を80°C〜250°Cの範囲に保ち、該プラズマのもとで該チャンバ内に配置した被エッチング物におけるITOをエッチングする。

Claim (excerpt)：

エッチング用ガスとして炭化水素ガスと、水素ガスと、酸素化合物とを含むガスをエッチングチャンバ内へ導入して該ガスをプラズマ化するとともに該チャンバ内面の温度を80°C〜250°Cの範囲に保ち、該プラズマのもとで該チャンバ内に配置した被エッチング物におけるITOをエッチングすることを特徴とするITOのドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/784