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J-GLOBAL ID：200903080324265030

レジンモールド半導体装置およびその製造方法

Inventor： 内海 茂 ,  畑中 康道 ,  岡 誠次 ,  藤岡 弘文
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996345320
Publication number (International publication number)：1998189857
Application date： Dec. 25, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 実装時のリフロー耐性が優れ、信頼性に優れたレジンモールド半導体装置を得る。【解決手段】 リードフレーム1はダイパット2aとリード部2bとを有し銅または銅合金からなり、表面にはN-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルトリメトキシシランを含有した表面処理層7が設けられている。ダイパット2aに半導体素子4が接着され、半導体素子4とリード部2bとを導線5で電気的に接続し、レジン3がリードフレーム1と半導体素子4および導線5をモールドする。

Claim (excerpt)：

ダイパッドとこのダイパッドの周囲に向かって延出するリード部とを有し銅または銅合金からなるリードフレーム、上記ダイパッドに接着層を介して設けた半導体素子、この半導体素子と上記リード部とを電気的に接続する導線、並びに上記リードフレームと半導体素子と導線とをモールドしたレジンを備えたレジンモールド半導体装置において、上記リードフレームの表面に、下記一般式(1)または一般式(2) Z-R1-NR3-R2-Si(R4)n-(OR5)3-n ・・・・(1) Z-R6-Si(R7)n-(OR8)3-n ・・・・(2)(式中、nは0から2の任意の整数、Zはアミノ基、イミダゾール基またはそれらから誘導される1価の基、R1、R2およびR6はそれぞれ互いに同一または相異なる2価の置換または非置換の炭化水素基、R3、R4、R5、R7およびR8はそれぞれ互いに同一または相異なる1価の置換または非置換の炭化水素基)で示される化合物を含有した表面処理層を設けたことを特徴とするレジンモールド半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28

FI (3)：

H01L 23/50 H ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/28 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-207158
  
• 特開平4-247644
  
• 特開昭63-310152