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J-GLOBAL ID:200903080334589497

パターン形成方法およびパターン形成用多層膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 福沢 俊明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002244094
Publication number (International publication number):2003149820
Application date: Aug. 23, 2002
Publication date: May. 21, 2003
Summary:
【要約】【課題】 ドライエッチング耐性に優れ薄膜として使用可能な下層膜と、193nm以下の波長において透明性の高い特定のポリシロキサン系感放射線性樹脂組成物とを組み合わせて用いることにより、定在波による影響を受けることがなく、緻密なパターンを形成することができ、さらに高いアスペクト比を有するレジストパターンを形成することができるパターン形成方法およびパターン形成用多層膜を提供する。【解決手段】 パターン形成方法は、炭素含量が80重量%以上でポリスチレン換算重量平均分子量が500〜100,000の重合体を含有する下層膜上に、その酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる酸解離性基含有ポリシロキサンを含有する感放射線性樹脂組成物からなる被膜を形成して、放射線を照射する工程を有することを特徴とする。パターン形成用多層膜は、該下層膜上に該感放射線性樹脂組成物からなる被膜を形成してなる。
Claim (excerpt):
炭素含量が80重量%以上でポリスチレン換算重量平均分子量が500〜100,000の重合体を含有する膜上に、その酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる、アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の酸解離性基含有ポリシロキサンを含有する感放射線性樹脂組成物からなる被膜を形成して、放射線を照射する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (8):
G03F 7/075 521 ,  C08F 32/08 ,  C08G 10/02 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027 ,  C08G 77/14
FI (9):
G03F 7/075 521 ,  C08F 32/08 ,  C08G 10/02 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 511 ,  C08G 77/14 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 573
F-Term (54):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025DA40 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA05 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA08 ,  2H096KA06 ,  4J033DA01 ,  4J033DA12 ,  4J033HA02 ,  4J033HB03 ,  4J035BA04 ,  4J035CA071 ,  4J035CA101 ,  4J035EA01 ,  4J035EB10 ,  4J035LA02 ,  4J035LB16 ,  4J100AR09P ,  4J100BA03P ,  4J100BA05P ,  4J100BA14P ,  4J100BA16P ,  4J100BA29P ,  4J100BA41P ,  4J100BA52P ,  4J100BA56P ,  4J100BB01P ,  4J100BB03P ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100DA36 ,  4J100JA38 ,  4J100JA43 ,  5F046NA19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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