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J-GLOBAL ID：200903080342236765
検査システムと検査装置と半導体デバイスの製造方法及び検査プログラム
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001094531
Publication number (International publication number)：2002299401
Application date： Mar. 29, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】半導体集積回路のウェーハ製造過程などで,最終電気検査の結果を待つことなく,異物検査や外観検査などの欠陥検査の結果から,高精度に歩留り損失量を換算する検査システムや検査装置を提供する。【解決手段】欠陥マップデータ読込み処理11,致命率計算データ読込み処理12を行う。次に,欠陥毎の致命率算出処理13で,欠陥マップデータと致命率計算データを用いて,欠陥毎の致命率を算出する。次に,チップ毎の致命率算出処理14で,欠陥毎の致命率を用いて,LSIチップ毎の致命率を算出する。次に,歩留り損失量算出処理15で,チップ毎の致命率を用いて,欠陥マップデータの歩留り損失量を算出し,歩留り損失量出力処理16で算出結果を出力する。
Claim (excerpt)：
被検査対象の有する異物もしくはパターン欠陥の位置と大きさを検出する検査手段と,該検査手段とネットワークを介して接続され,該検査手段が検出して得た検査データと、被検査対象に形成されるデバイス内に設定した異物もしくはパターン欠陥の位置と大きさに対する致命率計算データとを記憶する記憶手段と,該検査データと該致命率計算データとに基づき,個々の異物もしくはパターン欠陥の致命率を算出し,さらに個々の異物もしくはパターン欠陥毎の該致命率から,被検査対象を構成する個々のデバイス毎の致命率を算出する算出手段と、を有することを特徴とする検査システム。
IPC (2)：
FI (4)：
H01L 21/66 Z
, H01L 21/66 A
, H01L 21/66 J
, G01N 21/956 A
2G051AA51
, 2G051AB07
, 2G051EB05
, 2G051EB09
, 2G051EC01
, 4M106AA01
, 4M106CA39
, 4M106CA42
, 4M106CA43
, 4M106DA15
, 4M106DJ21
, 4M106DJ38
