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J-GLOBAL ID：200903080342981541

電極と配線との組み合わせ構造およびその形成方法

Inventor： ▲猪▼口 和之
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992000668
Publication number (International publication number)：1993183059
Application date： Jan. 07, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コンタクトホールおよびコンタクトパッドを用いないで、素子形成領域の上で電極と配線との直接接続した構造を得る。【構成】 FETのチャネル領域またはn+ 領域(ソース・ドレイン領域)の上側に電極とその上面に直接接合した配線を具えている。電極自体は、その上面以外は外部と接続する部分を有していない。電極の側面には絶縁膜が形成されている。チャネル領域またはn+ 領域上に電極とキーマスクの積層構造を形成する。次に、この積相構造以外の領域にパッシベーション膜を設けた後、キーマスクを除去して電極の上面を露出させ、その露出面に配線を直接設ける。

Claim (excerpt)：

下地の単一の素子形成領域上に設けられた電極と、該電極と直接接触しかつ外電極以外の部分は絶縁膜上に設けられた配線とを具える、半導体素子の電極と配線との組み合わせ構造において、前記電極と前記配線とを、少なくとも前記素子形成領域上で、コンタクトホールを利用せずして、直接接触してなることを特徴とする電極と配線との組み合わせ構造。

IPC (4)：

H01L 21/90 ,  H01L 29/50 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭56-116667
  
• 特開平1-106469
  
• 特開昭57-043418
  
• 特開昭58-028839
  
• 特開平3-263836