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J-GLOBAL ID：200903080344636361

プラズマ処理方法

Inventor： 高野 雄一 ,  前田 尚志 ,  岡田 稔 ,  志田 善明 ,  江畑 敏樹
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995020318
Publication number (International publication number)：1996218175
Application date： Feb. 08, 1995
Publication date： Aug. 27, 1996
Summary：

【要約】【構成】 プラズマ発生室容器11及び/または反応室容器12の内壁が、重量%でFeが0.2%以下、Oが0.3%以下、残部が不可避的不純物及びTiから成る材料により構成された装置内で処理するプラズマ処理方法。【効果】 プラズマ発生室容器11及び/または反応室容器12の内壁がTiCl4 、H2 、Ar系のガスにより腐食され難く、プラズマによりスパッタリングされ難く、またこの内壁中にFe、Cr、Ni、Mn等の汚染物質が含まれないか、含まれていても極めて微量であるため、CVD成膜処理により形成されたTi膜が重金属により汚染され難い。この結果、電気特性に優れた半導体デバイスを製造することができる。

Claim (excerpt)：

TiCl4 、H2 、Ar系またはTiCl4 、H2 、Ar、N2 系のガスを用いたプラズマを利用し、基板上にTi膜またはTiN膜を形成するプラズマ処理方法において、プラズマ発生室及び/または反応室の内壁が、重量%でFeが0.2%以下、Oが0.3%以下、残部が不可避的不純物及びTiから成る材料により構成された装置内で処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/205