Pat

J-GLOBAL ID：200903080348776974

III-V族化合物半導体のガスエッチング方法

Inventor： 砂川 晴夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991338652
Publication number (International publication number)：1993234968
Application date： Dec. 20, 1991
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 III-V族化合物半導体層が2種類以上形成された多層構造基板を表面が平坦でかつ鏡面性よくガスエッチングする。【構成】 (100)面方位の多層構造基板41に<011>方向に沿って開口部を有するマスクを形成し、III族およびV族原料ガスを基板上に供給すると同時に塩化水素を導入する。開口部におけるエッチング速度を1分間当たり0.3μm以下とする。エッチング側壁面には、段差はなく平坦になり、連続して成長した膜も鏡面性の良い表面とする。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体層が2種類以上形成された(100)多層構造基板を選択的にガスエッチングする方法において、前記基板表面に基板の<011>方向に沿った開口部を有するマスク材を形成する工程と、III族およびV族原料ガスを基板上に供給すると同時に塩化水素を導入し前記基板表面の開口部におけるエッチング速度を1分間当たり0.3μm以下とし、前記開口部にエッチング溝を形成する工程とを備えていること特徴とするIII-V族化合物半導体のガスエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00