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J-GLOBAL ID：200903080350372422
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991295886
Publication number (International publication number)：1993136159
Application date： Nov. 12, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高速性、信頼性、均一性に優れ、微細化に適したヘテロ接合型バイポーラトランジスタとその製造方法を提供する。【構成】 エミッタ電極がプロセスの最初の段階で形成され非合金型電極材料よりなる。また、エミッタ電極に対して、エミッタメサ及びベース電極がセルフアライン的に形成され、さらにベース電極に対してベース・コレクタメサがセルフアライン的形成される。また、ガードリングを配置し、エミッタの微細化を伴う電流増幅率も抑止できる。また、本発明によるHBTの製造は、特別な工程を必要とせず、極めて単純な工程で構成される。【効果】 高周波特性に優れかつ微細でかつ信頼性に富むHBTを、再現性・均一性よく、しかも複雑な工程を経ず、容易に実現することが可能になる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、第一の導電型のエミッタ領域と、第二の導電型のベース領域と、第一の導電型のコレクタ領域が形成されてなるメサ型のヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ・ベースメサとエミッタ電極が自己整合され、当該エミッタ・ベースメサの大きさがエミッタ電極の大きさより小さく、かつ平面的に見てエミッタ電極の端とベース電極の端が一致しており、ベース電極とベース・コレクタメサが自己整合されていることを特徴とするヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
Cited by examiner (5)
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