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J-GLOBAL ID:200903080354170174

薄膜形成方法及び装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊東 哲也 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993242186
Publication number (International publication number):1995072307
Application date: Sep. 03, 1993
Publication date: Mar. 17, 1995
Summary:
【要約】【目的】 成膜条件の最適化、さらには製品特性の経時変化のモニタをより簡便に行えるようし、また、スパッタレートを一定化し、薄膜の膜厚をスパッタ時間に基いて制御できるようにする。【構成】 基材の表面に多層光学薄膜を形成する方法において、各層の膜厚設定値に基づいて多層光学薄膜を形成し、この形成された多層光学薄膜の光学特性を測定し、この測定された光学特性に基づいて多層光学薄膜が目標の光学特性となるような各層の膜厚を求め、この求められた各層の膜厚に基づいて前記膜厚設定値を補正し、この補正された膜厚設定値に基づいて次の多層光学薄膜を形成する。あるいは、スパッタ法により薄膜を形成する方法において、前記真空室内のH2 Oガス濃または度放電インピーダンスを測定し、この測定結果に応じてスパッタ電力、スパッタガス分圧、およびスパッタガス流量のうちの少なくとも1つ以上をスパッタレートが一定に保持されるように制御する。
Claim (excerpt):
基材の表面に多層光学薄膜を形成する方法において、各層の膜厚設定値に基づいて多層光学薄膜を形成し、この基材上に形成された多層光学薄膜の光学特性を測定し、この測定された光学特性に基づいて多層光学薄膜が目標の光学特性となるような各層の膜厚を求め、この求められた各層の膜厚に基づいて前記膜厚設定値を補正し、この補正された膜厚設定値に基づいて次の多層光学薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3):
G02B 1/11 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/203
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭59-143904
  • 特開昭50-122281
  • 特開昭55-009543

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