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J-GLOBAL ID：200903080358810909

マグネトロンプラズマ用磁場発生装置

Inventor： 宮田 浩二
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996310416
Publication number (International publication number)：1998154597
Application date： Nov. 21, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 マグネトロンプラズマを利用したスパッタリングやエッチング装置に用いる磁場発生装置に、ダイポールリング磁石を使い、広範囲に均一なプラズマを得ることができる磁場発生装置を安価に提供する。【解決手段】 高密度プラズマを生成するマグネトロン装置に設置して使用されるマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、複数の異方性セグメント柱状磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石より成り、該異方性セグメント柱状磁石の磁化方向が、ダイポールリング磁石内部に発生する磁場方向を基準0°としたときに、配置位置が0°±80°と 180°±80°では径方向に磁化した磁石、配置位置が90°±40°と 270°±40°では周方向に磁化した磁石であるマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。

Claim (excerpt)：

高密度プラズマを生成するマグネトロン装置に設置して使用されるマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、複数の異方性セグメント柱状磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石より成り、該異方性セグメント柱状磁石の磁化方向が、ダイポールリング磁石内部に発生する磁場方向を基準0°としたときに、配置位置が0°±80°と 180°±80°では径方向に磁化した磁石、配置位置が90°±40°と 270°±40°では周方向に磁化した磁石であることを特徴とするマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。