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J-GLOBAL ID:200903080363073572
分子フッ素(F2)レーザおよびF2レーザの出力ビーム発生方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000033019
Publication number (International publication number):2000236130
Application date: Feb. 10, 2000
Publication date: Aug. 29, 2000
Summary:
【要約】【課題】 157nm(波長)の近傍の複数のエミッションラインの1つを効率的に選択する分子フッ素(F2 )レーザを提供する。また、選択したラインを狭隘化する効率的な手段を有するF2 レーザを提供する。【解決手段】 157nmと158nmとの間の波長範囲で複数の近接した間隔のラインを含むスペクトル発光を発生させるための分子のフッ素を含むガス混合体で充填された放電チャンバ2と、分子のフッ素にエネルギを与えるパルス放電を発生させる電源回路と結合した一対の電極3a,3bと、放電チャンバ2を取り囲むと共に第1のエタロン6を備える共振器とをそれぞれ設け、第1のエタロン6が複数の近接した間隔のラインの1つを選択し、最大の反射率の選択されたラインに対して、および、比較的低い反射率の選択されないラインに対して配置されて、選択されないラインを削除する。
Claim (excerpt):
(a) 157nmと158nmとの間の波長範囲で複数の近接した間隔のラインを含むスペクトル発光を発生させるための分子のフッ素を含むガス混合体で充填された放電チャンバと、(b) 前記分子のフッ素にエネルギを与えるパルス放電を発生させる電源回路と結合した一対の電極と、(c) 前記放電チャンバを取り囲むと共に第1のエタロンを備える共振器と、をそれぞれ具備し、前記第1のエタロンが前記複数の近接した間隔のラインの1つを選択し、最大の反射率の選択されたラインに対して、および、比較的低い反射率の選択されないラインに対して配置されて、選択されないラインを削除すること、を特徴とするF2 レーザ。
IPC (2):
FI (2):
H01S 3/137
, H01S 3/223 Z
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