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J-GLOBAL ID：200903080367372833

半導体パッケージの鋳ばり取り方法

Inventor： シン チョイ
Applicant, Patent owner： エルジー セミコン カンパニー リミテッド
Agent (1)： 笹島 富二雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997156389
Publication number (International publication number)：1998065086
Application date： Jun. 13, 1997
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体パッケージの成形時に発生する鋳ばりを取る。【解決手段】リードフレーム上の鋳ばりが付着し易い部位のみにSn-Ag化合物の鍍金薄膜14を形成する。そして、絶縁性両面テープ16を用いて半導体チップ15をボトムリード13a上面に接着するときに、Sn-Ag合金の融点以下の温度に加熱し、モールドした後、モールディング樹脂18をを略同じ温度で熱硬化させて鍍金薄膜14の付着力を弱め、湿式法により鍍金薄膜14及び鋳ばり19を一緒に取り除く。

Claim (excerpt)：

モールドの型から漏れて半導体パッケージのリードに付着した鋳ばりを取り除く半導体パッケージの鋳ばり取り方法であって、リードフレームの半導体パッケージから露出するリード表面に、所定温度で付着力が低下する鍍金薄膜(14)を形成する鍍金薄膜形成工程と、半導体チップ(15)を前記所定温度下でリードフレームに接着し、半導体チップ(15)及びリードフレーム間をボンディングする実装工程と、前記半導体チップ(15)を樹脂モールドするモールド工程と、前記鍍金薄膜(14)と鋳ばり(19)とを一緒に除去する鋳ばり取り工程と、を順次行うことを特徴とする半導体パッケージの鋳ばり取り方法。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/56

FI (3)：

H01L 23/50 J ,  H01L 23/50 D ,  H01L 21/56 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-111655
  
• 特開昭63-096947
  
• 特開平4-164356
  
• 特開昭55-003611