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J-GLOBAL ID：200903080376998338

気相成長装置

Inventor： 白井 宏子 ,  國友 正人
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992303541
Publication number (International publication number)：1994151335
Application date： Nov. 13, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 反応ガスの供給状態の安定化と異物の発生の抑止に優れた効果を発揮し得る気相成長装置を提供する。【構成】 このCVD装置1は、例えば枚葉式の装置で、複数種類の反応ガスが各ガス種毎に設けられた個別の供給管10,15を介して個別の吹出し口20,21,25から反応炉30内に吹き出されるようになっているものである。吹き出された反応ガスは反応炉30内において混合され、排気口40及び排気管41を介して排気される。【効果】 反応生成物により供給管や吹出し口が詰まることがなく、反応ガスを安定して供給することが可能となるとともに、異物の発生を極力減少させることも可能となり、ひいては性質や厚さなどの均一性の良い膜を形成することができ、歩留りが向上する。

Claim (excerpt)：

少なくとも2種類の反応ガスを反応炉内に導入させてなる気相成長装置において、前記反応炉内に反応ガスを導くガスの供給管及び吹出し口が夫々反応ガスの種類毎に独立して少なくとも一つずつ設けられていることを特徴とする気相成長装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108