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J-GLOBAL ID：200903080393163908
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991179357
Publication number (International publication number)：1993029331
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 耐熱性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することにある。【構成】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタにβ-SiC層から成るベース領域とα-SiC層から成るエミッタ領域を有する。
Claim (excerpt)：
β-SiC層から成るベース領域とα-SiC層から成るエミッタ領域とを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/167
