半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995080463
Publication number (International publication number)：1996279553
Application date： Apr. 05, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】素子分離領域を小さくした上で、ソース・ドレイン領域とソース・ドレイン電極とのコンタクト抵抗の増大、ソース・ドレイン領域の電気抵抗の増大、ソース・ドレイン領域の接合容量の増大を回避し、デバイス表面の平坦化を図る。【構成】素子分離をトレンチ2と絶縁膜3aとを併用して行う。トレンチ2の幅は基板1上で一定とする。絶縁膜3a側壁をそのままコンタクトホール10として使用する。コンタクトホール10を介して基板1にイオン注入を行い、n- 領域9を形成する。コンタクトホール10内に形成したポリシリコン膜で高濃度のn+ 領域12を形成する。基板1内の低濃度のn- 領域9とn+ 領域12とでソース・ドレイン領域13を形成する。コンタクトホール10内のポリシリコン膜だけを残すように当該ポリシリコン膜をエッチバックしてn+ 領域12を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたトレンチと、基板表面に形成された絶縁膜とで素子分離領域が形成された半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/76 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/76 L , H01L 29/78 301 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-016152
特開昭52-060581
MIS型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-265258 Applicant：ソニー株式会社

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