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J-GLOBAL ID：200903080410875895

ダイオードおよびその製造方法

Inventor： パオラ・ガルビアティ ,  ウバルド・マストマッテオ
Applicant, Patent owner： エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995131903
Publication number (International publication number)：1995326773
Application date： May. 30, 1995
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 BCD技術を用いて半導体材料上に集積化され、第2の導電型の記憶領域(8)の内側の第1の導電型のバルク(2)に設けられる型のダイオードを得る。【構成】 ダイオードは、アノード機能を有する第1の導電型の埋設領域(4)および第2の導電型のカソード領域(12)を備える。カソード領域(12)は埋設領域4の上に配置されたエピタキシャル層(6)と、このエピタキシャル層(6)の内側に設けられた高ドーピング領域(11)とを有する。埋設領域(4)は高ドーピング領域(11)の配置に対向したくぼみ(5)を備え、この埋設領域4の個別でかつ隣接する部分の横方向拡散の交差により達成される。

Claim (excerpt)：

BCD技術を用いて半導体材料上に集積化され、第2の導電型の記憶領域(8)の内側の第1の導電型のバルク(2)に設けられる型で、かつ第1の導電型の埋設領域(4)および第2の導電型のカソード領域(12)を備えたダイオードであって、上記カソード領域(12)が上記埋設領域(4)の上に配置されたエピタキシャル層(6)と該エピタキシャル層(6)の内側に設けられた高ドーピング領域(11)とを有するものにおいて、上記埋設領域(4)が上記高ドーピング領域(11)に対向して配置されたくぼみ(5)を備えたことを特徴とするダイオード。

FI (2)：

H01L 29/91 L ,  H01L 29/91 C