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J-GLOBAL ID：200903080424617694

MgTiO3 薄膜を備えたFRAM素子及びFFRAM素子並びにその製造方法

Inventor： 黄 哲盛 ,  李 春浩
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 服部 雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997293619
Publication number (International publication number)：1998135420
Application date： Oct. 09, 1997
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 MgTiO3 薄膜を備えたFRAM素子及びFFRAM素子並びにその製造方法を提供する。【解決手段】 誘電膜としてPZT膜84を備えたキャパシターと、前記キャパシターの上部に形成され、その内部にSiを含む絶縁膜と、前記PZT膜84と前記絶縁膜との間に形成されたMgTiO3 膜88とを含むことにより、FRAM素子の拡散障壁層は優れた拡散防止効果を有し、FFRAM素子のバッファー層は優れた拡散障壁特性と誘電率を有する。

Claim (excerpt)：

誘電膜としてPZT膜を備えたキャパシターと、前記キャパシターの上部に形成され、その内部にSiを含む絶縁膜と、前記PZT膜と前記絶縁膜との間に形成されたMgTiO3 膜とを含んで構成されたことを特徴とするFRAM素子。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371