MgTiO3 薄膜を備えたFRAM素子及びFFRAM素子並びにその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997293619
Publication number (International publication number)：1998135420
Application date： Oct. 09, 1997
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 MgTiO3 薄膜を備えたFRAM素子及びFFRAM素子並びにその製造方法を提供する。【解決手段】誘電膜としてPZT膜84を備えたキャパシターと、前記キャパシターの上部に形成され、その内部にSiを含む絶縁膜と、前記PZT膜84と前記絶縁膜との間に形成されたMgTiO3 膜88とを含むことにより、FRAM素子の拡散障壁層は優れた拡散防止効果を有し、FFRAM素子のバッファー層は優れた拡散障壁特性と誘電率を有する。

Claim (excerpt)：

誘電膜としてPZT膜を備えたキャパシターと、前記キャパシターの上部に形成され、その内部にSiを含む絶縁膜と、前記PZT膜と前記絶縁膜との間に形成されたMgTiO3 膜とを含んで構成されたことを特徴とするFRAM素子。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体記憶素子およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-281624 Applicant：ローム株式会社
強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-254378 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
強誘電体薄膜と基体との複合構造体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-322206 Applicant：垂井康夫, 日産自動車株式会社

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