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J-GLOBAL ID：200903080430236031

CMOSを基礎とするピクセル構造の高ダイナミックレンジの読み出し信号を得る方法及びそのCMOSを基礎とするピクセル構造

Inventor：
バール・ディエリック

About バール・ディエリック

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ダニー・スヘフェル

About ダニー・スヘフェル


Applicant, Patent owner：
アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

About アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ


Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998027264
Publication number (International publication number)：1999004385
Application date： Feb. 09, 1998
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 単一ピクセルに対して、二重または多重の線形な電圧-光応答を得ることができる能動または受動ピクセル構造及びその読み出し方法を提供する。【解決手段】 光電素子3上に照射する電磁放射線から変換された電荷キャリアを光電素子3の出力ノードで獲得しながら、第1の期間後に、第1のスイッチ1を開き、それにより第1の数の上記電荷キャリアをメモリ素子4に蓄積して第1の信号を生成し、その後、第1のスイッチ1を閉じる。第2の期間後に、光電素子3の出力ノード上に蓄積された第2の数の電荷キャリアから第2の信号を生成する。読み出し信号は少なくとも上記第1の信号と上記第2の信号とを結合して得る。
Claim (excerpt)：
MOS技術において、出力ノードを持つ光電素子と、第1のスイッチを持つメモリ素子とを少なくとも有し、上記第1のスイッチは上記出力ノードと上記メモリ素子との間にある、MOSを基礎とするピクセル構造の読み出し信号を得る方法であって、前記方法は、上記光電素子上に照射する放射から変換された電荷キャリアを上記光電素子の上記出力ノードで獲得しながら、-第1の期間後に、上記第1のスイッチを開き、それにより第1の数の電荷キャリアを上記メモリ素子に蓄積し、第1の信号を生成し、-第2の期間後に、上記光電素子の上記出力ノード上に蓄積された第2の数の電荷キャリアから第2の信号を生成し、-少なくとも上記第1の信号と上記第2の信号とを結合し、上記読み出し信号を得るステップからなることを特徴とする方法。
IPC (2)：
H04N 5/335 ,  H01L 27/146
FI (2)：
H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 撮像装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-178021   Applicant：株式会社日立製作所, 日本放送協会
  • 特開平2-050584
  • 特開平1-204579
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