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J-GLOBAL ID：200903080430530479

半導体素子およびその実装方法

Inventor： 森 三樹 ,  木崎 幸男 ,  斉藤 雅之 ,  水澤 由美
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995284046
Publication number (International publication number)：1997129648
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】リペア工程の簡略化を図れる半導体素子を提供すること。【解決手段】入出力端子3上に酸化物導電体層4を介して金バンプ5が設けられてなる積層構造の電極を使用する。

Claim (excerpt)：

入出力端子上に酸化物導電体層、窒化物導電体層および炭化物導電体層の少なくとも1つの導電体層を介して金属バンプが設けられてなる積層構造の電極を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4)：

H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 603 F ,  H01L 21/92 604 T