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J-GLOBAL ID：200903080430749101

化合物半導体装置及びその製造方法及びその実装方法

Inventor： 酒井 啓之 ,  國久 武人 ,  八木田 秀樹
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992264525
Publication number (International publication number)：1994120294
Application date： Oct. 02, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 チップサイズを小さくしても面積利用効率の低下しない化合物半導体集積回路及びその製造方法・実装方法を提供すること。【構成】 スクライブライン上に貫通口を形成し、その内壁に導電膜を堆積した後切断することによって、化合物半導体ICのボンディング電極パッドをチップ側面に形成する。【効果】 絶対面積の必要なボンディング電極パッドをチップ側面に形成するために、チップサイズを小さくした時にも面積利用効率が減少しにくい。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に形成された集積回路において、前記集積回路は集積回路と外部をつなぐボンディング電極パット有し、前記電極パッドの一部あるいは全部が、前記化合物半導体基板の側面に形成されていることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60