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J-GLOBAL ID：200903080432273724
単結晶成長装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊藤 求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995120637
Publication number (International publication number)：1996295595
Application date： Apr. 21, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 炭化珪素等の単結晶を効率よく成長させることができる単結晶成長装置を提供することを目的とする。【構成】 容器1内に、成長させる単結晶の原料2と、種結晶を含有する単結晶成長基板3を配置する。単結晶成長基板3と原料2の間には、単結晶成長基板3の周囲を取り囲み、かつ内部に単結晶4が十分成長できる空間を形成する熱遮蔽部材5が配してあり、原料2の輻射熱から単結晶成長基板3を遮蔽している。熱遮蔽部材5は、容器1との間に空隙を有するように配され、また、空孔52が複数設けてあって、これを介して十分な量の上記原料2の昇華物Gが上記単結晶成長基板3に到達するので、熱遮蔽部材5で囲まれた空間内で、相対的に低温となる基板3上に効率よく単結晶を成長させることができる。
Claim (excerpt)：
容器内に、成長させる単結晶の原料と、種結晶を含有する単結晶成長基板を配置し、上記原料を加熱昇華させて上記単結晶成長基板上に単結晶を成長させる装置であって、上記単結晶成長基板と上記原料の間に、上記単結晶成長基板の周囲を取り囲んで上記原料の輻射熱から上記単結晶成長基板を遮蔽し、かつ内部に単結晶が十分成長できる空間を形成する熱遮蔽部材を、上記容器との間に空隙を有するように配し、上記熱遮蔽部材に、上記原料の昇華物が上記単結晶成長基板に到達可能な空孔を設けたことを特徴とする単結晶成長装置。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 23/06
, C30B 29/36 A
