半導体レーザダイオードの光出力制御装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井出直孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996022861
Publication number (International publication number)：1997219554
Application date： Feb. 08, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 nmオーダでの波長制御を簡易な方法で行う。【解決手段】半導体レーザダイオード1からの光を透過特性が逆の波長フィルタ6、7へ入力してその光信号強度を検出し、その検出された光信号強度の差により半導体レーザダイオード1の温度を調節して波長を制御する。また、波長フィルタ6、7を透過した光信号強度の和またはこれとは独立に求めた半導体レーザダイオード1の光出力強度から、その半導体レーザダイオード1の駆動電流を制御してその光出力電力の変動を抑える。

Claim (excerpt)：

半導体レーザダイオードの出力光を監視する監視手段と、この監視手段の監視出力にしたがってその半導体レーザダイオードの動作を制御する制御手段とを備えた半導体レーザダイオードの光出力制御装置において、前記監視手段は、前記半導体レーザダイオードの出力光から二つの光信号を得る光学手段と、この二つの光信号がそれぞれ入射しその波長の変化に対する透過率の変化が逆特性となる二つの波長フィルタと、この二つの波長フィルタの出力光電力をそれぞれ検出する二つの光検出器とを含み、前記制御手段は、前記二つの光検出器の検出出力の差分により前記半導体レーザダイオードの温度を調節する温度制御手段と、前記二つの光検出器の検出出力の和分により前記半導体レーザダイオードの駆動電流を制御する駆動電流制御手段とを含むことを特徴とする半導体レーザダイオードの光出力制御装置。

IPC (4)：

H01S 3/133 , H01S 3/043 , H01S 3/096 , H01S 3/18

FI (4)：

H01S 3/133 , H01S 3/096 , H01S 3/18 , H01S 3/04 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭60-074687
特開昭62-136088
特開昭60-074687

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