Pat
J-GLOBAL ID：200903080437491886
パタン形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993192151
Publication number (International publication number)：1995045510
Application date： Aug. 03, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：
【要約】【構成】レジストパタン形成後、樹脂4を全面に塗布した後、熱処理によりレジスト2を流動させ、パタンを微細化する。【効果】樹脂塗布後にレジストの熱流動を起こさせるため、流動のしすぎが防止でき、寸法の安定化が図れる。微細化の困難な超LSIの電極取り出し用の穴パタンの微細化が実現できる。
Claim (excerpt)：
基板上にレジストパタンを形成する工程と、全面に或いは一部分に前記レジストに混じらない樹脂を形成する工程と、熱処理工程と、前記レジストに混じらない樹脂を除去する工程とを含むことを特徴とするパタン形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, G03F 7/40 501
H01L 21/30 566
, H01L 21/30 568
