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J-GLOBAL ID:200903080440530086

光検知器およびその使用

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000535052
Publication number (International publication number):2002506290
Application date: Feb. 25, 1999
Publication date: Feb. 26, 2002
Summary:
【要約】本発明は、電磁放射線を検知するための装置において、それが、i)2.5eVを上回るバンドギャップを有する半導体からなる光活性層;ii)その半導体に適用される染料;および、iii)正孔導体材料を含有する電荷移動層を有し;前記正孔導電材料が、好ましくは、固体でかつ非晶質であることを特徴とする装置に係る。
Claim (excerpt):
電磁放射線の強度を検知および測定するための装置であり、その装置が、 (i) バンド幅2.5eVより大を有する半導体の光活性層; (ii) 半導体に適用された染料;および、 (iii) 正孔導体材料を含む電荷輸送層;を有する装置。
IPC (4):
H01L 51/10 ,  H01L 31/08 ,  H01G 9/20 ,  H01G 9/00
FI (2):
H01L 31/08 T ,  H01G 9/20
F-Term (10):
5F088AA01 ,  5F088AB01 ,  5F088AB11 ,  5F088BA20 ,  5F088BB07 ,  5F088DA01 ,  5F088EA04 ,  5F088EA09 ,  5F088HA05 ,  5F088LA03

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