マイクロ波処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007106788
Publication number (International publication number)：2008269793
Application date： Apr. 16, 2007
Publication date： Nov. 06, 2008
Summary：

【課題】複数の給電部を加熱室壁面に最適配置し夫々の給電部からの放射マイクロ波の周波数および位相差を最適化することで、様々な被加熱物を高効率に加熱する装置を提供する。【解決手段】マイクロ波発生部1は発振部2、電力分配部3、増幅部5a、5b、被加熱物を収納する加熱室8、加熱室8の壁面に配置されマイクロ波発生部1の出力が伝送されそのマイクロ波を加熱室8内に放射供給する給電部7a、7b、マイクロ波伝送路に挿入した位相可変部4a、4bを備え、給電部7a、7bから出力されるマイクロ波の位相差および発振周波数の可変制御とにより、様々な被加熱物に対して反射電力を最小に抑制しこう高率な加熱を実現させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被加熱物を収納する加熱室と、発振部と、前記発振部の出力を複数に分配して出力する電力分配部と、前記電力分配部の出力の位相を可変する位相可変部と、前記位相可変部の出力をそれぞれ電力増幅する増幅部と、前記増幅部の出力を前記加熱室に供給する複数の給電部と、前記発振部の発振周波数と前記位相可変部の位相量を制御する制御部とを備え、前記複数の給電部は前記加熱室を構成する壁面の異なる複数の壁面に配置するとともに、前記制御部は前記給電部から放射されるマイクロ波の位相差と周波数を制御する構成としたマイクロ波処理装置。

IPC (3)：

H05B 6/74 , H05B 6/72 , H05B 6/68

FI (4)：

H05B6/74 E , H05B6/74 D , H05B6/72 D , H05B6/68 370

F-Term (6)：

3K086AA01 , 3K086BA07 , 3K090AA01 , 3K090AB02 , 3K090BA03 , 3K090CA18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特開昭56-132793号公報

Cited by examiner (7)

高周波加熱装置、半導体製造装置および光源装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-212297 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開昭56-132793
電子レンジ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-167742 Applicant：三菱電機株式会社

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